节点文献

SiON薄膜中氢的研究

Study of Hydrogen in SiON Thin Films

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 魏文霖孟祥森袁骏杨辉葛曼珍季振国

【Author】 Wei Wenlin Meng Xiangsen Yuan Jun Yang Hui Ge Manzhen Ji Zhenguo(Dept. Mater. Sci. & Engn. Zhejiang University) (Institute of Architecture Science and Design,Zhejiang Province)

【机构】 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室浙江省建筑科学设计研究院浙江大学材料系浙江大学材料系硅材料国家重点实验室 杭州 310027杭州 310027杭州 310027

【摘要】 氮氧化硅(SiON)薄膜是一种新型的薄膜材料,具有优良的光电性能、机械性能、钝化性能和化学稳定性能,但杂质氢的存在限制了它的应用。详细阐述了氮氧化硅薄膜中氢杂质的存在活动及其对薄膜性能的影响,并提出了降低氢含量的合理方法。

【Abstract】 Silicon oxynitride is a new kind of thin films. It has excellent photoelectric,mechanic and passivation properties and chemical stability, but the existence of hydrogen as an impurity limits its application. This paper reviewed the activity of hydrogen in silicon oxynitride films and its effects on their properties,and pointed out the rational ways to reduce the content of hydrogen.

【关键词】 氮氧化硅薄膜性能杂质
【Key words】 silicon oxymtridethin filmspropertyimpurityhydrogen
  • 【分类号】TB383
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】181
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络