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双极—MOS功率半导体器件的发展动态

Development of BIMOSFET Power Devices

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【作者】 金湘亮曾云成世明张红楠

【Author】 JIN Xiang-liang ZENG Yun CHENG Shi-ming ZHANG Hong-nan (Department of Applied Physics, Hunan University, Changsha 410082)

【机构】 湖南大学应用物理系!湖南长沙410082

【摘要】 比较了双极—MOS功率半导体器件的五种基本构成方式 ;然后介绍该类器件发展的最新动态 ,着重阐述几种最新器件 ;最后分析预测了这类器件发展的方向。

【Abstract】 This paper summarizes and compares five basic structures and characteristics of BIMOSFET.The new development on BIMOSFET are introduced and the emphasis on a few of recent BIMOSFET devices is placed. At last the author analysis’s and forecasts the development direction of BIMOSFET.

【关键词】 双极MOSFET功率器件
【Key words】 BipolarMOSFETPower Devices
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】7
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