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双极—MOS功率半导体器件的发展动态
Development of BIMOSFET Power Devices
【摘要】 比较了双极—MOS功率半导体器件的五种基本构成方式 ;然后介绍该类器件发展的最新动态 ,着重阐述几种最新器件 ;最后分析预测了这类器件发展的方向。
【Abstract】 This paper summarizes and compares five basic structures and characteristics of BIMOSFET.The new development on BIMOSFET are introduced and the emphasis on a few of recent BIMOSFET devices is placed. At last the author analysis’s and forecasts the development direction of BIMOSFET.
- 【文献出处】 半导体杂志 , 编辑部邮箱 ,2000年03期
- 【分类号】TN32
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