节点文献

半导体纳米粒子的电容

Capacitance of Semiconductor Nanoparticles

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 何红波周继承胡慧芳李义兵

【Author】 HE Hong-bo, ZHOU Ji-cheng, HU Hui-fang and LI Yi-bing(Materials Research Institute,College of Information,Changsha Railway University ,Changsha\ 410075,China)

【机构】 长沙铁道学院信息学院材料研究所!长沙410075

【摘要】 用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 .

【Abstract】 With the harmonic potentials, the binding of electrons in the dots is described. The capacitance of semiconductor nanoparticles CdS,PbS are computed by harmonic potentials Model with self-consistent method.The maximum quantum do t size is also found,which can form the Single Electron Transistor in room temper ature.

【关键词】 单电子纳米粒子电容
【Key words】 single electronnanoparticlecapacitance
【基金】 国家自然科学基金!( 69890 2 2 7;69771 0 1 1 ;69971 0 0 7);霍英东基金资助项目&&
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2000年12期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】61
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络