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SiO2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合
SiO2 Encapsulant Enhanced Quantum Well Intermixing for InGaAsP Superlattice\+*
【摘要】 对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .
【Abstract】 Impurity Free Vacancy Diffusion (IFVD) technology on InGaAsP superlattice, which latticematches InP, is investigated experimentally, with SiO\-2 deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition and rapid thermal annealing proceeded with iodine tungsten lamp. Up to 50nm blue shift of photoluminescence spectrum is observed, which shows IFVD has a capacity to treat QWs even without any impurities or strain. Factors are also discussed, that will affect the repetition of IFVD.
【关键词】 超晶格材料；
无杂质空位扩散；
InGaAsP；
量子阱混合；
【Key words】 superlattice material； impurity free vacancy diffusion； InGaAsP； quantum wells intermixing；
【Key words】 superlattice material； impurity free vacancy diffusion； InGaAsP； quantum wells intermixing；
【基金】 国家自然科学基金资助项目! (批准号 695860 0 2 )&&
- 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年11期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】7
- 【下载频次】59