节点文献

β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

Photoelectron Spectra on β-GaS Passivated GaAs(100) Surfaces

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 董阳王康林丁训民来冰曹先安侯晓远

【Author】 DONG Yang, WANG Kang\|lin, DING Xun\|min, LAI Bing, CAO Xian\|an and HOU Xiao\|yuan(National Key Laboratory for Surface Physics, Fudan University, Shanghai\ 200433, China)Received 8 August 1999, revised manuscript received 28 October 1999

【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433复旦大学应用表面物理国家?

【摘要】 在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga S淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同

【Abstract】 Deposition of β GaS on GaAs(100) wafers has been previously found to be effective on the passivation of the GaAs surfaces.Photoelectron spectroscopy is used to investigate the chemical environment of the GaAs surfaces passivated by GaS.Upon the deposition of GaS,the band bending of the GaAs surface is found to be reduced by 0 4eV.It means that Fermi level pinning of the GaAs surface can be eliminated to a certain extent.A quasi\|quantitative theoretical model is proposed to explain the difference between the reduction in band bending after the deposition of GaS on GaAs and the increase of band bending caused by wet chemical treatment.

【关键词】 GaAs表面光电子能谱β-GaS钝化
【Key words】 GaAs surfaceXPSβ-GaS passivation
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年11期
  • 【分类号】O472
  • 【下载频次】46
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络