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光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

Circuit Model of Photo\|Controlled Surface Negative Impedance Transistor and Its Simulation\+*

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【作者】 毛陆虹郭维廉李树荣郑云光张世林沙亚男吴霞宛

【Author】 MAO Lu-hong,GUO Wei-lian,LI Shu-rong,ZHENG Yun-guang, ZHANG Shi-lin,SHA Y_nan and WU Xi_wan(Microelectronics Department,College of Electronic Information Engineering, Tianjin University,Tianjin 300072,China)Received 18 October 1999,revised manuscript re

【机构】 天津大学电子信息工程学院微电子系!天津300072天津大学电子信息工程学院微电子系!天

【摘要】 给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比

【Abstract】 A circuit model of Photo-Controlled Surface Negative Impedance Trans istor (PNEGIT) is presented.Based on the mathematical model of a gate-controlled transistor and the circuit model of solar cells, a device with surface and body recombina tions is described for the first time by a circuit model,which provides a m ethod for studying PNEGIT,Surfac e Negative Impedance Transistor (NEGIT) and their applied circuits.Results of s imulation and experiment are compared.

【基金】 国家自然科学基金资助!基金号 694 770 1 1;天津市自然科学基金资助!基金号 983 60 1 4 1 1&&
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年09期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】33
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