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基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

Comprehensive Delay Model for CMOS Inverters Based on Velocity Saturation

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【作者】 宋任儒阮刚梁擎擎ReinhardStreiterThomasOttoThomasGessner

【Author】 SONG Ren\|ru, RUAN Gang and LIANG Qing\|qing(Department of Electronic Engineering,ASIC and System State Key Laboratory, Fudan University,Shanghai\ 200433, China)Reinhard Streiter, Thomas Otto and Thomas Gessner(Center of Microtechnology, Technical Unive

【机构】 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室!上海200433中国Chemnitz技术大学微技术中心!D-09107德国Chemnitz技术大?

【摘要】 提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .

【Abstract】 An improved analytical model is developed to predict the propagation delay of a small size CMOS inverter, which includes the effect of the velocity saturation and the influence of input waveform slope.The criteria for fast\|input response and slow\|input response of inverter are derived as well.A good agreement has been achieved between the presented model and SPICE BSIM1 model.

【关键词】 速度饱和倒相器延迟
【Key words】 velocity saturationinverterdelay
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年07期
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】59
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