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在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

Nanocrystalline SiC Films Grown Si by HFCVD Method and Its Photoluminescence\+*

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【作者】 余明斌； 马剑平； 罗家骏； 陈治明；

【Author】 YU Ming\|bin\+1, MA Jian\|ping\+2, LUO Jia\|jun\+2 and CHEN Zhi\|ming\+2(1\ Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an\ 710048, China) (2\ Electronics Engineering Department, Xi’an University of Technology, Xi’an\ 710048, Chin

【机构】 西安理工大学应用物理系!西安710048； 西安理工大学电子工程系!西安710048；

【摘要】 用热丝化学汽相淀积 (HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜 .用X射线光电子谱仪 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶红外吸收光谱 (FTIR)、紫外光 Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析 ,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射 .

【Abstract】 The nano\|crystalline silicon carbide films are grown on Si substrates by Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HFCVD).X\|Ray Diffraction (XRD),X\|ray Photoelectron Spectrum (XPS), Fourier Infrared Absorb Spectrum (FTIR),Ultraviolet Raman Scatter Spectrum,High definition Rate Transmission Electron Microscope (HRTEM) and many other methods are employed to analyze the composition and the structure of the films.The results reveal that the films should be provided with nanocrystalline characteristic in structure.Intensive visible\|light emitting has been observed at room temperature in photoluminescence experiments.

【关键词】 纳米材料； 碳化硅； 薄膜； 光致发光；
【Key words】 nano\|crystalline materials； SiC； thin film； photoluminescence；
【基金】 国家自然科学基金资助项目! (编号 :698760 3 0 )
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年07期
  • 【分类号】TN304.055
  • 【被引频次】42
  • 【下载频次】253
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