节点文献
LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射
Luminescence from Silicon Nitride Film by LPCVD
【摘要】 在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 ,讨论了发光机制
【Abstract】 With 4\^66eV laser excitation,six photoluminescence emission peaks of LPCVD silicon nitride film are observed corresponding to 2\^97,2\^77,2\^55,2\^32,2\^10 and 1\^90eV respectively. The gap state model of LPCVD silicon nitride film have been made in this paper.The origin of these emission peaks are discussed.
【关键词】 激发；
LPCVD；
光致发光；
能隙态模型；
【Key words】 excitation； LPCVD； photoluminescence； energy gap state model；
【Key words】 excitation； LPCVD； photoluminescence； energy gap state model；
【基金】 中国科技大学研究生院院长择优基金
- 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年05期
- 【分类号】TN304.055
- 【被引频次】5
- 【下载频次】86