节点文献
InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
InGaN/AlGaN DH Green LED\+*
【摘要】 报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
【Abstract】 A Zn and Si co\|doped InGaN/AlGaN double\|heterostructure has been grown on Al\-2O\-3 substrate by LP\|MOVPE.Green LEDs with wavelength of 520~540nm have been fabricated.This is first report on green GaN based LED in China.
【基金】 国家高技术 ( 863 )计划新材料领域资助项目
- 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年04期
- 【分类号】TN312.8
- 【被引频次】7
- 【下载频次】250