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InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

InGaN/AlGaN DH Green LED\+*

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【作者】 陆大成韩培德刘祥林王晓晖汪度袁海荣王良臣徐萍姚文卿高翠华刘焕章葛永才郑东

【Author】 LU Da\|cheng, HAN Pei\|de, LIU Xiang\|lin, WANG Xiao\|hui, WANG Du and YUAN Hai\|rong(Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences, Beijing\ 100083, China) WANG Liang\|chen, XU Ping, YA

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学实?

【摘要】 报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.

【Abstract】 A Zn and Si co\|doped InGaN/AlGaN double\|heterostructure has been grown on Al\-2O\-3 substrate by LP\|MOVPE.Green LEDs with wavelength of 520~540nm have been fabricated.This is first report on green GaN based LED in China.

【关键词】 绿光LEDInGaA/AlGaN双异质结
【Key words】 Green LEDInGaN/AlGaNDH
【基金】 国家高技术 ( 863 )计划新材料领域资助项目
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【分类号】TN312.8
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】250
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