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Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应

Persistent Photo\|Conductivity in Ga δ\|Doped ZnSe Superlattices *

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【作者】 胡古今张雷戴宁陈良尧

【Author】 HU Gu\|jin, ZHANG Lei, DAI Ning and CHEN Liang\|yao(Department of Physics, Fudan University, Shanghai\ 200433, China)Received 8 October 1998, revised manuscript received 17 December 1998

【机构】 复旦大学物理系半导体物理实验室!上海200433

【摘要】 通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Ga δ掺杂ZnSe 超晶格的稳恒光电导效应.被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K,另一块样品的淬灭温度接近290K.描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响.

【Abstract】 Persistent photo\|conductivity effect in Ga δ\|doped ZnSe superlattices has been studied by measurement of resistance as a function of temperature. Between two samples measured, one exhibits persistent photo\|conductivity effect at the temperature up to 120K, while the other shows the effect up to 290K. The experimental results are presented and the effect of doping conduction on annealing temperature of persistent photo\|conductivity is discussed.

【关键词】 光电导超晶格ZnSe
【Key words】 Photo\|ConductivitySuperlatticesZnSe
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年01期
  • 【分类号】TN29
  • 【被引频次】1
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