节点文献

基于物理的GaAs MESFET模型参数计算

Calculation of GaAs MESFET Model Parameters Based on Physics

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 郑滨

【Author】 Zheng Bin (Physical Laboratory,Hebei Science & Technology University,Shijiazhuang,050051)

【机构】 河北科技大学物理实验室!石家庄050051

【摘要】 根据材料性能和物理结构参数近似计算 Ga As MESF ET等效电路模型参数 ,并给出等效电路参数随物理参数的变化曲线。

【Abstract】 In this paper,the approximatel calculation of GaAs MESFET equivalent circuit parameters depending on material and device structural features is described.The curves of the equivalent circuit parameters varying with physical parameters are given.

【关键词】 MESFET物理参数模型
【Key words】 MESFET Physical parameters Model
  • 【文献出处】 半导体情报 ,SEMICONDUCTOR INFORMATION , 编辑部邮箱 ,2000年01期
  • 【分类号】TN401
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】67
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络