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SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射

SiGe/Si Heterostructure Analysis by DCXD

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【作者】邹德恕；徐晨；罗辑；魏欢；董欣；周静；杜金玉；高国；陈建新；沈光地；王玉田；

【Author】 Zou Deshu,Xu Chen,Luo Ji,Wei Huan,Dong Xin,Zhou Jing, Du Jinyu,Gao Guo,Chen Jianxin,Shen Guangdi (Department of Electrical Engineering,Beijing Polytechnic University,Beijing 100022) Wang Yutian (Institute of Semiconductor,Chinese Academy of Science,Be

【机构】北京工业大学电子工程系!北京100022；北京工业大学电子?；

【摘要】通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系更多还原

【Abstract】 The relationship between the electric characteristics of SiGe/Si HBT and lattice structure was discussed by x rey DCXD.更多还原

【关键词】 SiGe/Si； x射线双晶衍射；光程差；弛豫；
【Key words】 SiGe/Si x-rey DCXD Optical path difference Relaxation；

【基金】国家“8 6 3”;北京市自然基金资助项目

【文献出处】半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,2000年01期

【分类号】TN304.054;TN304.
【被引频次】3
【下载频次】72

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