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半导体微腔激光器阈值特性分析

Analysis on Threshold Characteristics in Semicond uctor Microcavity Lasers

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【作者】 吴根柱张宝顺曲轶任大翠张兴德

【Author】 WU Gen-zhu,ZHANG Bao-shun, QU Yi, REN Da-cui, ZHANG Xing-de(National Key Laboratory of High-power Semiconductor Lasers, Changchun Institu te of Optics and Fine Mechanics, Changchun 130022,China)

【机构】 长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室!吉林长春130022长春光机学院高功率半导?

【摘要】 利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数 β之间的关系 ,分析了降低阈值的途径 ,为器件设计提供了依据。

【Abstract】 The relations between lasing threshold a nd coupling coefficient β of spontaneous emission in semiconductor mic rocavity lasers are discussed on the basis of the theory of rate equations.The w ays to decrease threshold ,which provides the basis for devices design are also analyzed.

【基金】 兵器预研项目!(CHGJ- 1998- )
  • 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,2000年05期
  • 【分类号】TN248
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】168
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