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半导体量子点的电容

Capacitance of Semiconductor Quantum Dot

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【作者】 何红波周继承胡慧芳李义兵

【Author】 HE Hong bo,ZHOU Ji cheng,HU Hui fang,LI Yi bing (Material Research Institute,College of Information,Changsha Railway University,Changsha 410075,China)

【机构】 长沙铁道学院信息学院材料研究所!湖南长沙410075

【摘要】 当电子数目很少时 ,用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一种很准确的近似。文章利用量子力学中的少体理论方法研究了二电子系统和三电子系统的行为。少体理论可以把质心运动和相对运动分离 ,从而得到精确的数值解。利用单个电子在量子点中的基态波函数的束缚行为 ,选择了量子点的束缚能。通过对CdS、PbS等半导体纳米粒子的充电电容的计算找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径。

【Abstract】 When the number of electrons is small, harmonic potential is a good approximation to describe the confinement of electrons in quantum dots. In this paper, the behavior of two-electron and three-electron systems are investigated by few-body theory in quantum mechanics. Few-body theory can get the precise numerical solution by separating the movement of mass center and the relative movement. We select the confining energy by using the confinement of the base wavefunction of single electron in quantum dot. The maximum quantum dot sizes which can form the SET(Single Electron Transistor) at room temperature are found by the computation of the capacitance of semiconductor nanoparticles such as CdS and PbS,etc.

【关键词】 单电子量子点电容
【Key words】 single electronquantum dotcapacitance
【基金】 国家自然科学基金资助项目 !(6 97710 11;6 9890 2 2 7);霍英东基金资助项目
  • 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【分类号】TN32
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