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Si基有机异质结势垒特性的研究

Investigation on Barrier Characteristics for Si-based Compounds

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【Author】 ZHANG Fu-jia 1,WANG De-ming 1,ZHANG De-jiang 1,GAN Run-jin 2,LIU Feng-min 2 (1.Dept.of Physics,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China; 2.Beijing Mechanical Industry Institute,Beijing 100083,China)

【机构】兰州大学物理系!甘肃兰州730000；北京机械工业学院!北京100083；

【摘要】在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料艹北四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及电流 -电压特性。更多还原

【Abstract】 An organic/inorganic heterojunction(OIHJ) has been formed with 200 nm thick PTCDA film prepared by vacuum-deposition on p-Si substrate whose resistivity is 0.2 Ω·cm.Based on its energy band structure,experimantal measurements and analysis are carried out on capacitance-voltage and current-valtage characteristics for OIHJ carriers.更多还原

【关键词】 Si基复合材料；异质结势垒；特性；
【Key words】 Si-based compounds； heterojunction barrier； characteristics；

【基金】国家自然科学基金资助项目! (6 96 76 0 10 )

【文献出处】半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,2000年03期

【分类号】TN304
【被引频次】7
【下载频次】101

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