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固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程

Phase Change Procedure during Growth of HgCdTe Crystal by SSR Technique

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【Author】 WANG Yue 1,2 ,LI Quan bao 1,HAN Qing lin 1,SONG Bing wen 1,JIE Wan qi 2,ZHOU Yao he 2(1.Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China; 2.State Key Lab.of Solidification Processing,Northwest Polytechnical University,Xi’an 710072,China)$$

【机构】昆明物理研究所!昆明650223西北工业大学凝固技术国家重点实验室；西安710072；昆明物理研究所!昆明650223；西北工业大学凝固技术国家重点实验室!西安710072；

【摘要】叙述了固态再结晶生长碲镉汞晶体的生长方法 ,讨论了固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程和消除树枝结晶的机理及实验结果。简述了再结晶过程中晶粒长大的相变驱动力。更多还原

【Abstract】 The SSR(solid state recrystallization)technique for HgCdTe crystal growth is introduced,followed by description on phase change procedure during the growth of HgCdTe crystal by SSR technique.Mechanism of removing dendrite is discussed and experimental results are given.The drive force of phase change for HgCdTe growth during recrystallization is briefly described.更多还原

【关键词】晶体生长；固态再结晶；碲镉汞；相变；
【Key words】 crystal growth； solid state recrystallization(SSR)； HgCdTe； phase change；

【文献出处】半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,2000年01期

【分类号】TN304.054
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