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O+注入SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究
【摘要】 研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。
【关键词】 集成铁电；
离子注入；
SrBi2Ta2O9；
铁电薄膜；
热靶注入；
【基金】 国家“八六三”计划
- 【文献出处】 压电与声光 ,PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS , 编辑部邮箱 ,1999年03期
- 【分类号】TM221
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