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掺La(OH)3多孔硅的感湿特性研究

STUDY ON POROUS SILICON DOPED LA(OH)3

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【作者】 涂楚辙司地克·买合苏提李新凯王齐春马新来吾买尔·阿不力孜

【Author】 Tu Chuzhe (Xinjiang University,Urumqi, 830046)Sidike (Xinjiang Normal Umiversity,Urumqi,830054)

【机构】 新疆大学!乌鲁木齐830046新疆师范大学!乌鲁木齐830054

【摘要】 本文报道了多孔硅的制备方法及形成条件,并对掺La(OH)3多孔硅的感湿特性进行了实验研究,结果表明掺La(OH)3多孔硅的交流阻抗随环境温度的增大而减少,呈近似线性规律,敏感度变化很小。掺La(OH)3多孔硅化传统的LiCl敏感材料的繁感度有所提高。

【Abstract】 In this paper,a method for preparation and forming condition of porous silicon are reported. The humidity - sensitive properities of porous silicon doped La(OH)3 were studied in experiment. The results show that altemating impedance of porous silicon-doped La(OH)3 decreases in approximate linearity relation with environment humidity rising. The compared humid sensitivity of porous silicon doped La(OH)3 was improved with traditional LiCl materials.

【关键词】 多孔硅感湿特性交流阻抗
【Key words】 Porous Silicon. La(OH)3Alternating Impedance
  • 【文献出处】 新疆师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Xingjiang Normal University(Natural Sciences Edition) , 编辑部邮箱 ,1999年01期
  • 【分类号】TB381
  • 【被引频次】1
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