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一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源

A Simple CMOS Bandgap Voltage Reference with High PSRR

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【作者】 刘韬徐志伟程君侠

【Author】 LIU Tao,XU Zhi Wei and CHENG Jun Xia State Key Laboratory of ASIC & Systems,Fudan Univ.,Shanghai 200433

【机构】 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

【摘要】 介绍了一个采用0.6μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06mm2)、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。

【Abstract】 A bandgap voltage reference circuit is described,which is compatible with digital CMOS process.With a small chip area of 0.06 mm 2 ,the device has a high power supply rejection ratio(PSRR)and a low temperature coefficient.When it is used for bias circuits in high resolution systems,a circuit to improve temperature coefficient of the output bias current can be introduced.

  • 【分类号】TN47,TN47
  • 【被引频次】65
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