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100A/1200V静电感应晶闸管的设计

The Design of 100 A/1 200 V Static Induction Thyristor

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【Author】 Li Siyuan, Huang Shiqin, Xue Chuanming, Liu Ruixi, Zhang Minglan, Liang Yuantao (College of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)

【机构】兰州大学物理科学与技术学院!甘肃兰州730000；

【摘要】分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００Ａ／１２００Ｖ器件的结构（版图）设计、工艺设计，给出了有关结果．更多还原

【Abstract】 The relationship between the main electric parameters and the structure of the static induction thyristor devices has been discussed. Moreover, 100 A/1 200 V device has been designed and the results are reported here.更多还原

【关键词】静电感应晶闸管；电参数；结构参数；设计；
【Key words】 static induction thyristor； electric parameter； the parameter of structure； design；

【文献出处】兰州大学学报 ,Journal of Lanzhou University , 编辑部邮箱 ,1999年04期

【分类号】TN34
【被引频次】1
【下载频次】74

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