量子级联激光器

【摘要】 １９９４年美国贝尔实验室采用ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＩＡｓ量子ｏｔ／超晶格材料率先研制成功了１０Ｋ下脉冲激射波长为４．２６ｐｍ的量子级联激光器，开创了利用宽带隙材料研制中，远红外半导体激光器的先河，而其与传统激光器遇异的实现受激发射的方式，也在半导体激光器的发展史上书写了新的篇章．量子级联激光器是利用单极载流子（电子或空穴）注入进一系列级联式耦含量子讲产生子带间粒子数反转分布，进而利用子带间的受激跃迁而产生受激辐射的单极半导体激光器．这种单极粒子跃迁辐射具有单向们振（ＴＭ波）性，极适合于具有耳语回廊模式的微腔激光器的制作．另外，这些跃迁的联合态密度和相应的增益谱半宽都很窄且对称，因而可望实现低闭值更多还原