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应变异质结ZnSe/Si2(110)的价带带阶的第一原理计算

Advanced Ab Initio Calculation of Band Offset for Strained Heterostructure ZnSe/Si(110)

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【作者】 李开航张志鹏黄美纯

【Author】 Li Kaihang; Zhang Zhipen; Huang Meichun (Department of Physics, Xiamen University Xiamen 361005 )

【机构】 厦门大学物理系!厦门361005

【摘要】 本文从第一原理出发,用 Linearized-Muffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格(ZnSe)n/(Si2)。(110)(n=2~7)进行自洽计算.在此基础上采用冻结势方法计算了应变异质结ZnSe/Si2(110)的价带带阶,得到其理论值为 0.93eV,说明该异质结的价带带阶值较大,由其构成的量子阱对空穴运动有较强的限制作用.

【Abstract】 The Linearized-Muffin-Tin Obitals(LMTO) method is used to calculate the self-consistent band structure of superlattice (ZnSe)n/(Si2).(001)(n = 2 - 7) from first principle theory. On the basis of calculated results, the frozen potential method is adopted to calculate valence band offset of heterostructure ZnSe/Si2(110). The calculated valence band offset for the heterostructure is 0.93 TV, which is rather large. The calculated results showed that quantum well constructed by the heterojunction will have strong confinement for its hole movement.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 量子电子学报 ,CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1999年02期
  • 【分类号】TN304
  • 【下载频次】103
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