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CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

The Recovery Characteristics of Radiated C M O S/ S O D Circuit

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【Author】 W ang Huairong, Yao Da, Su Xiudi, Xu Zhongde, Lu Jianxia( Institute of Northeast Microelectronics, Shenyang, 110035) Gu Changzhi, Jin Zengsun( State Key Laboratory Sup erhard Materials, Jilin University, Changchun, 130023)

【机构】东北微电子研究所!沈阳110035；吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春130023；

【摘要】以金刚石膜作为绝缘埋层，利用金刚石膜上的薄层硅（ＳＯＤ）技术，制作５４ＨＣＴ０３ＣＭＯＳ／ＳＯＤ结构的集成电路．对该电路在辐照后的恢复特性进行研究．结果表明，ＳＯＤ电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路；常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的ＳＯＤ电路的快速恢复更多还原

【Abstract】 Diam ond film w as used as buried insulator in silicon on diam ond ( S O D) technology.54 H C T03 C M O S/ S O D integrated circuit w as fabricated by using S O D w afer. The recovery character istics of the S O D circuit under radiation w ere studied, and the results show that the recovery ability ofthe S O D circuit is clearly higher than that of bulk silicon circuit. Annealing technique is advandageousto the quick recovery of the radiated S O D circuit.更多还原

【关键词】金刚石膜上的薄层硅；集成电路；抗辐射；恢复特性；
【Key words】 silicon on diam ond； integrated circuit； radiation hardness； recovery characteristic；

【文献出处】吉林大学自然科学学报 ,ACTA SCIENTIARIUM NATURALIUM UNIVERSITATIS JILINENSIS , 编辑部邮箱 ,1999年03期

【分类号】TN407
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