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离子束辅助淀积条件下Cu/Si系统相变化研究

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【作者】 邱安平； 程万君；

【机构】 黑龙江大学物理系黑龙江省计算机总公司；

【摘要】 研究在离子束条件下，硅基底上淀积金属薄膜，并研究其界面结构及退火条件下金属硅化物的形成和变化特点。

【关键词】 离子束； 金属硅化物； 相变； 薄膜；
  • 【文献出处】 黑龙江电子技术 ,HEILONGJIANG ELECTRONIC TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1999年07期
  • 【分类号】TN304.055
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