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一种在硅片上生长SiO2膜的简易方法

A Simple Method for SiO2 Film Growth on Si Plate

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【作者】 张亚兰；

【Author】 Zhang Yalan(Department of Chemistry,Zhanjiang Normal College,Zhanjiang,524048)

【机构】 湛江师范学院化学系；

【摘要】 在室温下用化学气相沉积法（ＣＶＤ）在硅片表面生长了大面积的ＳｉＯ２膜。用几种方法测试了该膜的组成和特性，表明具有半导体绝缘膜的良好质量，从而有潜在的应用前景

【Abstract】 Largearea silica film was deposited on silicon substrate by chemical vapor deposition(CVD) at room temperature.The characteristics of the film were tested by several instruments,showing the good quality of the film for semiconductor uses.

【关键词】 化学气相沉积（CVD）； 半导体硅； SiO2膜；
【Key words】 semiconductor siliconsilica filmchemical vapor deposition(CVD)；
  • 【分类号】TN304.055
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