【摘要】 在 Ｓｉ 中掺杂 Ｎ 型片状立方氮化硼单晶的（１１１） 面上，利用热灯丝化学气相沉积方法生长了掺 Ｂ 的 Ｐ 型金刚石薄膜，从而制得了立方氮化硼单晶金刚石薄膜异质ｐｎ 结，测试了该ｐｎ 结的 Ｖ Ａ 特性，结果表明其整流特性良好。更多还原

【Abstract】 In this paper,B doped P type diamond film was grown on Si doped N type cubic boron nitride (cBN) flaky crystal by means of hotfilament CVD method.A heterjunction p n diode was fabricated.The electrical test shows that it has high rectification efficiency.更多还原