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L波段大功率宽脉冲高隔离单刀双掷PIN开关

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【作者】 真莹； 陈建新； 吴桂娣； 林川； 张振基；

【机构】 南京电子器件研究所；

【摘要】 南京电子器件研究所研制的大功率宽脉冲高隔离ＳＰＤＴ开关，采用ＰＩＮ管芯全并联结构，利用Ｔｏｕｃｈｓｔｏｎｅ软件进行电路拓扑优化设计。具有承受功率大、插入损耗小、隔离度大、单电源（＋２４Ｖ）供电、ＴＴＬ脉冲信号控制等优点，适用于雷达及通讯系统中。制作的...

【关键词】 L波段； PIN； 宽脉冲； 插入损耗； 脉冲信号； 隔离度； 管芯； 拓扑优化设计； 通讯系统； 单电源；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1999年01期
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