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3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管

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【作者】 傅义珠； 林川； 张树丹； 王佃利； 王因生；

【机构】 南京电子器件研究所!210016；

【关键词】 功率晶体管； Hz50W； 输出功率； 反应离子刻蚀； 信号损耗； 脉冲宽度； 微波功率器件； 器件研究； 高频功率； 集电结；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1999年03期
  • 【分类号】TN323.4
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