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深亚微米光刻技术

Deep Submicron Lithography Technology

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【作者】 宋登元； 郭宝增； 王小平；

【Author】 Song Dengyuan Guo Baozeng (Department of Electronics and Informational Engineering, Hebei University,Baoding, 071002,CHN) Wang Xiaoping (Division of Basic Science, Zhangjiakou Vocational University,07500,CHN)

【机构】 河北大学电子与信息工程系!保定； 071002； 张家口职工大学!基础科学部； 075000；

【摘要】 超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）线宽的不断缩小，促进了光刻技术的发展和分辨率的提高，使分辨率已进入到深亚微米区域。光学光刻分辨率的提高是依靠缩短曝光波长、增大透镜系统的数值孔径（ＮＡ）、采用新技术改进掩模和光学系统的设计以及提高光致抗蚀剂的性能来实现的。在简要的介绍了ＶＬＳＩ发展趋势的基础上，论述了深紫外光刻（ＤＵＶＬ）、极紫外光刻（ＥＵＶＬ）和Ｘ射线光刻技术取得的重要成果及面临的问题和可能解决的途径。

【Abstract】 The continued advancement of very large scale integrated circuits(VLSIs) in printing smaller and smaller device feature sizes forces lithography technologies to make a great progress in the resolution. As a result,the optical lithography has extended to the deep submicron