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高功率GaAlAs/GaAs量子阱SCH半导体激光器

High Power GaAlAs/GaAs SCH Lasers

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【作者】 宋晓伟张宝顺李梅薄报学

【Author】 Song Xiaowei Zhang Baoshun Li Mei Bo Baoxue (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics,Changchun 130022)

【机构】 长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室!长春130022

【摘要】 利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱结构材料。样品的测量结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为1 W,斜率效率达到1.04 W/A。

【Abstract】 The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE method.The experimental results show that samples quality has reached requirement of design.The output power of laser diodes with the material is up to 1 W and the slope efficiency is as high as 1.04 W/A.

【关键词】 半导体激光器分别限制结构量子阱
【Key words】 semiconductor laserSCHquantum well
  • 【文献出处】 光电子·激光 ,Journal of Optoelectronics.laser , 编辑部邮箱 ,1999年06期
  • 【分类号】TN248.4
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