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硅双极功率晶体管镇流技术的改进

Improvement of Ballasting for Silicon Bipolar Power Transistor

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【作者】 周蓉胡思福张庆中

【Author】 Zhou Rong; Hu Sifu; Zhang Qinzhong(Dept of Microelectronic Science and Techno1ogy,UEST of China Chengdu 61O054 )

【机构】 电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054

【摘要】 从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。

【Abstract】 From the reliabi1ity and the gain, the existing ballasting resistor for si1icon bipolar power transistor is carefully ana]yzed, and the improved method is proposed. The results indicate the improved compound ballasting resistor n0t only effectively prevents the "Runaway" and the second breakdown caused by current concentrating, improves transistor’s re1iability and life time, but also helps improve power transistor’s power gain.

【关键词】 硅化物氨化钛镇流电阻多晶硅
【Key words】 silicideTiNballasting resistorpoly-Si
【基金】 四川省应用基础研究专项基金
  • 【文献出处】 电子科技大学学报 ,JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA , 编辑部邮箱 ,1999年05期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】51
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