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射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响

Effect of R F Discharhe Parameters on the Substrate Bias

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【作者】 程宇航吴一平许德胜陈建国乔学亮谢长生

【Author】 Cheng Yuhang Wu Yiping Xu Desheng Chen Jianguo Qiao Xueliang Xie Changsheng (Huazhong University of Science and Technology 430074 China)

【机构】 华中理工大学材料学院!430074

【摘要】 系统研究了射频等离子辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响, 结果表明射频辉光放电过程中下极板上产生的自直流负偏压V 与电源功率W 和工作压强P 的关系为V=k W/ P。极板负偏压随极板间距的增加而增大。不同放电气体对极板自负偏压产生不同的影响,这与各种气体本身的放电特性有关

【Abstract】 The effect of radio frequency (r f )discharge parameters on the substrate bias was systematically studied Results show that the substrate bias V is related to the r f power W and gas pressure P by V=kW/P The increase of distance between two electrode leads to the increase of substrate bias Substrate bias is greatly affected by the discharge characteristics of different gases

【基金】 华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室联合资助
  • 【文献出处】 电工技术学报 ,TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY , 编辑部邮箱 ,1999年05期
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】3
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