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低温Si-GSMBE中Si2H6的热裂解及对Si生长的影响

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【作者】 李建平； 黄大定； 刘金平； 刘学锋； 李灵宵； 朱世荣； 孙殿照； 孔梅影；

【机构】 中国科学院半导体研究所材料中心；

【摘要】 为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释．

【关键词】 Si-GSMBE； 热裂解； Si2H6； 生长速率； 温区； 四级； 预热温度； 扩展电阻； 开关速度； 杂质分布；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年07期
  • 【分类号】TN304.120.55
  • 【被引频次】2
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