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Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究

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【作者】 裴成文； 秦捷； 刘晓晗； 胡冬枝； 张翔九； 黄大鸣； 蒋最敏；

【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室；

【摘要】 利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离，本文对此进行了分析和讨论．

【关键词】 外延层； 喇曼光谱； Ge； Si； 分子束外延生长； 表面活化剂； 振动峰； 线性关系； 同步辐射； 弛豫；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年07期
  • 【分类号】TN304.055
  • 【被引频次】1
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