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ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

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【作者】 魏彦锋； 黄大鸣； 王兴军； 俞根才； 诸长生； 王迅；

【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室；

【摘要】 在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

【关键词】 激子； ZnCdSe/ZnSe； 量子阱结构； 发光谱； 发光强度； 阱宽； 光波长； 半导体量子阱； 束缚能； 量子点；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年06期
  • 【分类号】O471.3,O471.3
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