Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀

【摘要】 本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理．更多还原