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含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

1.55μm InGaAsP/InP Strained MQW Gain Coupled DFB Laser With an Improved Injection Carrier Grating

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【作者】 罗毅; 文国鹏; 甘雨农; 张克潜;

【Author】 Luo Yi, Wen Guopeng, Gan Yunong, Zhang Keqian(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084)Tsurugi K. Sudoh, Shinya Sudo, Yoshiaki Nakano, Kunio Tada(Department of

【机构】 清华大学电子工程系;

【摘要】 本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器.我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合.利用LPE和MOCVD混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率.

【Abstract】 Abstract A 1 55μm InGaAsP/InP strained multiquantum well (MQW) distribute feedback (DFB) laser with a periodically modulated injection carrier is described. In this laser structure, a current blocking grating is improved by using optimized doping for large pure gain coupling. The device is fabricated by hybrid growth of MOVPE and LPE. High single mode oscillation yield is achieved under the condition of cleaved facets.

【基金】 自然科学基金杰出青年基金,“863”计划
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年04期
  • 【分类号】TN248.402
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】117
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