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电导法测量Si1-xGex/Si量子阱的能带偏移

Band Offset Measurements of Si 1- x Ge x /Si Quantum Wells Studied by Conductance Technique

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【作者】 张胜坤； 蒋最敏； 秦捷； 林峰； 胡冬枝； 裴成文； 陆方；

【Author】 Zhang Shengkun, Jiang Zuimin, Qin Jie, Lin Feng, Hu Dongzhi, Pei Chengwen, Lu Fang(Surface Physics Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433)

【机构】 复旦大学表面物理国家重点实验室；

【摘要】 本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析，验证了这一方法的可靠性

【Abstract】 Abstract The frequency dependent conductance voltage characteristics of a sample with a single quantum well included are studied. A conductance method is proposed to measure the band offsets of quantum wells. The technique is verified by analyzing the experimental G V curves of a Si/Si 1- x Ge x /Si quantum well.

【关键词】 x)Ge_x/Si； 量子阱结构； 电导法； 载流子浓度； 等效电路图； 深能级瞬态谱； 缓冲层； 价带； 肖特基接触； 电压变化；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年02期
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