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铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

Photoluminescence From Eu Implanted SiO\-2 Thin Films

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【Author】 Wang Liang 1,4 , Zhu Meifang 1, Zheng Huaide 2, Hou Yanbin 3, Liu Fengzhen 1(1 Graduate School, University of Science and Technology of China and State Key Laboratory of Materials Chemistry and Applications, Beijing\ 100039) (2\ Institute of

【机构】中国科技大学研究生院物理系!北京100039北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871北京大学电子系北京100871；中国科技大学研究生院物理系!北京100039北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871；中国科学院半导体研究所!北京100083；北方交通大学光电子研?；

【摘要】采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ－２及１０１５ｃｍ－２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋的红光发射．在１２００℃下氮气中退火观察到Ｅｕ２＋４５０ｎｍ的强光发射．讨论了Ｅｕ３＋向Ｅｕ２＋的转变更多还原

【Abstract】 The Eu doped SiO\-2 thin films are prepared by Eu ion implantation.The implanted doses of Eu ions are 10 14 cm -2 and 10 15 cm -2 ,respectively.No photoluminescence is observed for as\|implanted thin films.After annealing at 1000℃ in N\-2,the red light emission from doped SiO\-2 film,corresponding to the 5D\-0→ 7F J transition of Eu 3+ ,is observed.As the annealing temperature rises to 1200℃,a strong light emission band at wavelength of 450nm appears.The transition from Eu 3+ to Eu 2+ has been discussed.更多还原

【关键词】硅膜；铕离子；光致发光；离子注入；掺杂剂；激发峰；发光中心；激发谱；发光峰；结构缺陷；

【文献出处】半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年10期

【分类号】TN305.3
【被引频次】1
【下载频次】46

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