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电可擦除存储器单元的模型

EEPROM Cell Model and Its Application

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【Author】 Hong Zhiliang, Han Xingcheng, Li Xingren, Fu Zhijun, Huang Zhen, Shu Keliu(Department of Electronics Engineering, Fudan University, Shanghai\ 200433)

【机构】复旦大学电子工程系!上海200433；

【摘要】本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立ＥＥＰＲＯＭ单元器件的等效电路的模型，利用本模型对ＥＥＰＲＯＭ单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟，论文用实例验证了模型的正确性更多还原

【Abstract】 This paper set up a new model of EEPROM cell,which can be used to do transient simulation of ERASE,WRITE and READ of EEPROM cells. The model is verified by comparison of the measured results and simulated results.更多还原

【关键词】单元的；阈值电压；击穿电压；瞬态；浮栅；栅氧化层；电压源；漏电阻；子电路；电压控制；

【基金】国家经贸委产学研资助

【文献出处】半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1999年09期

【分类号】TN401
【被引频次】8
【下载频次】178

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