【摘要】 本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式 Ｃ 含量的 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜材料，较低的生长温度和较高的 Ｓｉ Ｈ４ ／ Ｃ２ Ｈ４ 流量比有助于提高代位式 Ｃ 含量和薄膜材料的晶体质量，并且初步分析了生长过程中的化学反应动力学更多还原

【Abstract】 W e report the results on the grow th of Si1 x y Gex Cy ternary alloy on Sisubstrateby rapid therm alchem icalvapor deposition( R T C V D) using C2 H4 as C source. The Ram anspectrum and Fourier transform infrared spectroscopy m easurem ents show that w e havesuccessfully grow n Si1 x y Gex Cy thin film in w hich a part of carbon atom s incorporate intothe substitutionalsites,low er tem perature and higher Si H4/ C2 H4 ratio are helpfulto formthe substitutional C and im prove the crystalquality. A possible m echanism for C incorpo ration in Si1 x y Gex Cy layer grow n by R T C V D using C2 H4 is proposed.更多还原