【摘要】 介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试，包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下， 输出功率大于３２ｄＢｍ ， 增益大于１０ｄＢ。更多还原

【Abstract】 This paper describes the design,fabrication and performance of 1 5W GaAs monolithic millimeter wave integrated circuit(MMIC)at X band,including the big signal model extracting of MESFET,the circuit CAD,sensitivity analysis of DOE,the process research of T mode gate,etc.Its RF measurements are:P out >32dBm,G p>10dB at 9 4~10 2GHz.更多还原