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自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型

A LargeSignal Model for the GaAs MESFET ConsideringSelfHeating Effect

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【作者】 王静； 邓先灿；

【Author】 Wang Jing,Deng Xiancan (Hangzhou Electronics Industry Institute,Hangzhou 310037)

【机构】 杭州电子工业学院ＣＡＥ所；

【摘要】 分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。

【Abstract】 This paper analyzes the temperature rising in the GaAs MESFET under selfheating effect,and modifies the MESFET largesignal model considering the change of electrical parameters dependent on temperature.

【关键词】 GaAsMESFET； 大信号模型； 自升温效应；
【Key words】 GaAs MESFETLargesignal modelSelfheating effect；
【基金】 国家军事电子基金
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1999年04期
  • 【分类号】TN304.23
  • 【被引频次】1
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