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射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用

Application of the SiO2 Film Produced by RF Sputtering inFabrication of SiGe/Si HBT

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【作者】 邹德恕； 徐晨； 罗辑； 陈建新； 高国； 魏泽民； 沈光地；

【Author】 Zou Deshu,Xu Chen,Luo Ji,Chen Jianxin,Gao Guo,Wei Zemin,Shen Guangdi (Department of Electronic Engineering,Beijing Polytechnic University,Beijing 100022)

【机构】 北京工业大学电子工程系；

【摘要】 介结了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。

【Abstract】 The principle and technique of RF sputtering SiO2 were introduced and the SiGe/Si HBT using the SiO2 films were characterized.

【关键词】 Si／SiGeHBT； 射频溅射； SiO2；
【Key words】 Si/GeSi HBTRF sputteringSiO2；
【基金】 北京自然基金,国家“863”项目资助
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1999年04期
  • 【分类号】TN305.92
  • 【被引频次】15
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