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关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究
Study of Ultra Thin Gate Dielectrics Prepared by NO Nitridation of SiO 2
【摘要】 研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。
【Abstract】 In this paper,ultra thin gate dielectric films fabricated by the method of Nitric Oxide(NO)raped thermal nitridation have been studied.The MOS capacitors with￣5nm gate dielectrics and NMOSFETs with￣6nm gate dielectrics have been elementally made.The characteristics of ultra thin SiO 2 films have been improved by NO rapid thermal nitridation.
【关键词】 快速热氮化；
界面态；
热载流子效应；
一氧化氮（NO）；
【Key words】 Rapid thermal nitridation Interface state Hot carrier effect Nitric oxide(NO)；
【Key words】 Rapid thermal nitridation Interface state Hot carrier effect Nitric oxide(NO)；
- 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1999年01期
- 【分类号】O484.8
- 【被引频次】2
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