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双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度

Study of Thickness Measurement of Ultrathin Epitaxial Layer by X Ray Double Crystal Diffraction

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【Author】 Qu Yi (Jilin University Department of Electronics Engineering,Changchun 130023) Gao Xin,Zhang Baoshun,Bo Baoxue,Zhang Xingde (State Key Lab.on High Power Semiconductor Lasers,Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics,Changchun 130022)

【机构】吉林大学电子工程系!长春130023；长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室!长春130022；长春光学精密机械学院高功率半导体激光国?；

【摘要】介绍了通过双晶ｘ射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ结构的各层层厚更多还原

【Abstract】 We introduce a method of measuring ultrathin epitaxital layer thickness.We have measured the thickness of Ga 0 7 Al 0 3 As/Ga 0 9 Al 0 1 As/Ga 0 7 Al 0 3 As structure by MBE with the interference fringes in rocking curve by x ray double crystal diffraction.更多还原

【关键词】双晶x射线衍射；超薄层厚度；
【Key words】 X ray double crystal diffraction Ultrathin layer thickness；

【文献出处】半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1999年06期

【分类号】TN304.07
【被引频次】1
【下载频次】174

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