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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析

Analysis of Noise Properties on GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors

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【作者】 盛怀茂； 王嘉宽； 高启安； 夏冠群； 赵建龙；

【Author】 Sheng Huaimao,Wang Jiakuan,Gao Qian,Xia Guanqun,Zhao Jianlong (Department of Applied Physics of Hefei University of Technology,Hefei 230009)

【机构】 合肥工业大学应用物理系!合肥230009； 中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件实验室上海200050,合肥工业大学应用物理系!合肥230009； 中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件实验室,上海200050,合肥工业大学应用物理系!合肥230009； 中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器；

【摘要】 分析了第一激发态在势垒以上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声， 讨论了它们对探测器性能的影响

【Abstract】 Several kinds of basic noise are analyzed in the GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors(QWIP)with the first excited state above the barriers.The effects of the noise on the performance of the QWIP are also discussed.

【关键词】 噪声特性； 暗电流噪声； 临界电场；
【Key words】 Noise Darkcurrent noise Critical field；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1999年05期
  • 【分类号】TN215
  • 【被引频次】9
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