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ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽

Spectrum line broadening in ZnCdTe-ZnTe multiple quantum well

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【作者】 郑泽伟范希武郑著宏杨宝均

【Author】 ZHENG Ze wei 1,FAN Xi wu 2,ZHENG Zhu hong 2,YANG Bao jun 2 (1.The Aire Force Institute of Meteorology,Nanjing 211101,China; 2.Changchun Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130021,China)$$$$

【机构】 空军气象学院!南京211101中国科学院长春物理研究所!长春130021

【摘要】 通过对Zn xCd1 - xTe- ZnTe 多量子阱的光致发光研究,讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源,而由流体力学性质决定的涨落,在组分张落中起着非常重要的作用。

【Abstract】 Based on the study of Zn x Cd 1- x Te-ZnTe multiple quantum well,we have investigated the effects of its spectrum line broadening.It is demonstrated that the compositional fluctuation is the main cause of inhomogeneous broadening,whereas the fluid-dynamics-dependent fluctuation plays a very important role in the compositional one.

【基金】 空军基础理论课题资助项目!(KJ9801)
  • 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1999年06期
  • 【分类号】TN304.22
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