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半导体微腔激光器

Microcavity semiconductor lasers

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【作者】 任大翠宋晓伟吴根柱

【Author】 REN Da cui,SONG Xiao wei,WU Geng zhu (National Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics, Changchun 130022,China)

【机构】 长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室!长春130022

【摘要】 文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的LPE及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型- 图钉式微腔结构,测得其有源区的光荧光谱的半宽度为0 .032 eV,波长为815 .33 nm 。

【Abstract】 The article briefly describes the basic operating principle of the device whose microcavity structure is fabricated by such micromachining technology as modified LPE and reactive ion etching.The measured half width of photoluminescence spectrum in the active area is 0.032 eV with the wavelength of 815.33 nm.

【基金】 兵器预研项目
  • 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1999年05期
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】200
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